103 年 103年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 6Si 的SiO熱成長可用Deal-Grove 模型來描述：t2 + A t = Bt，公式中t為氧化層厚2oxoxox度、t 為氧化時間、A 與B 為相關之參數。以1000˚C 做乾氧成長時，A = 0.165 μm、B = 0.0117 μm2/hr。成長10 小時，問SiO 的厚度。若t>>A，證明SiO 的成長速2ox2率與t 成反比，並說明其物理意義。（15 分）ox 看答案與解析