104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 2閘極介電層製程含三層，材料之厚度分別為 30 nm（AlO）、20 nm（HfO）及10 nm（SiO），已知其介電常數（dielectric constant）分別為9（AlO）、25（HfO）及3.9（SiO），請求出：（每小題10 分，共20 分）㈠三層堆疊換算成SiO 之等效厚度（equivalent oxide thickness）為多少？㈡加上偏壓5 V 於三層材料，各別之壓降V、V及V為多少？Al2O3HfO2SiO2 看答案與解析