104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3在n 通道MOSFET 製程技術中，利用間隙壁（spacer）及兩次離子佈植實施LDD（lightly doped drain）結構，請說明製程步驟。（15 分） 看答案與解析