108 年 108年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 1對於n 型矽半導體，它的電子漂移速度（drift velocity）隨著電場增加而線性增加，但在超過某一臨界電場時，此電子漂移速度會趨近飽和值1×107 cm/s，請說明為什麼在高電場時電子漂移速度會趨近飽和？並說明此電子動能的來源或機制。（20 分） 看答案與解析