申論 2由p 型砷化鎵（GaAs）半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottkyjunction），假如金的功函數（work function, qφ）為4.8 eV，砷化鎵的電m子親和力（electron affinity, qχ）為4.07 eV，砷化鎵的能隙（E）為SCg1.42 eV，砷化鎵的功函數（work function, qφ）為5.47 eV。SC㈠請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height, qφ）與內建電位值B（built-in potential, qV）。（10 分）bi㈡請繪出此蕭特基接面的能帶圖，並指出此蕭特基接面的能障與內建電位的位置處。（10 分）